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    常压烧结碳化硅技术产业化-青岛科技大学淄博研究院 - QUST

    2021年1月14日  根据调研和分析,国际碳化硅窑具市场在向无压及反应烧结发展,无压烧结碳化硅适用烧结温度高于 1200 ℃的氧化铝等高等陶瓷;反应烧结碳化硅适用烧结温度低 常压烧结碳化硅技术产业化-青岛科技大学淄博研究院 - QUST2021年1月14日  根据调研和分析,国际碳化硅窑具市场在向无压及反应烧结发展,无压烧结碳化硅适用烧结温度高于 1200 ℃的氧化铝等高等陶瓷;反应烧结碳化硅适用烧结温度低

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    常压固相烧结碳化硅陶瓷的表面裂纹及其对材料强度的影响

    2013年10月31日  采用压痕加载的方式在固相烧结碳化硅陶瓷材料的抛光表面分别加载维氏及努氏压头, 获得不同形貌的表面裂纹, 系统地研究了表面裂纹尺寸及裂纹倾斜角对材料 常压固相烧结碳化硅陶瓷的表面裂纹及其对材料强度的影响2013年10月31日  采用压痕加载的方式在固相烧结碳化硅陶瓷材料的抛光表面分别加载维氏及努氏压头, 获得不同形貌的表面裂纹, 系统地研究了表面裂纹尺寸及裂纹倾斜角对材料

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    维氏压痕对常压固相烧结碳化硅陶瓷材料力学性能的影响 ...

    摘要:. 为了研究维氏压痕裂纹对常压固相烧结碳化硅陶瓷 (SSiC)材料力学性能的影响,通过扫描电镜观察了O.1-100N的压痕载荷下产生的表面裂纹及裂纹剖面的状况,并测试了相应载 维氏压痕对常压固相烧结碳化硅陶瓷材料力学性能的影响 ...摘要:. 为了研究维氏压痕裂纹对常压固相烧结碳化硅陶瓷 (SSiC)材料力学性能的影响,通过扫描电镜观察了O.1-100N的压痕载荷下产生的表面裂纹及裂纹剖面的状况,并测试了相应载

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    SiC陶瓷常压烧结致密化过程的研究

    2017年11月6日  SiC陶瓷具有高强度、高硬度、可靠的化学稳定性、良好抗热冲击性能以及抗蠕变等特点,在国防、核能和空间技术、汽车工业及海洋工程等领域获得了广泛应用, SiC陶瓷常压烧结致密化过程的研究2017年11月6日  SiC陶瓷具有高强度、高硬度、可靠的化学稳定性、良好抗热冲击性能以及抗蠕变等特点,在国防、核能和空间技术、汽车工业及海洋工程等领域获得了广泛应用,

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    国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先

    2022年4月24日  碳化硅作为一种重要的结构陶瓷材料,凭借其优异的高温力学强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能,不仅应用于高温窑具、燃烧喷嘴、热交换器、密封环、滑动轴承等传统工 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先 2022年4月24日  碳化硅作为一种重要的结构陶瓷材料,凭借其优异的高温力学强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能,不仅应用于高温窑具、燃烧喷嘴、热交换器、密封环、滑动轴承等传统工

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    常压烧结碳化硅中碳对材料性能的影响及其热塑性成型研究 ...

    碳(C)作为固相烧结碳化硅(SiC)材料中的重要烧结助剂,其除去SiC颗粒表面的氧以增加烧结驱动力的机理在研究中已基本形成共识,在SiC材料成型制备过程中,其润滑性能有利于SiC陶 常压烧结碳化硅中碳对材料性能的影响及其热塑性成型研究 ...碳(C)作为固相烧结碳化硅(SiC)材料中的重要烧结助剂,其除去SiC颗粒表面的氧以增加烧结驱动力的机理在研究中已基本形成共识,在SiC材料成型制备过程中,其润滑性能有利于SiC陶

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    常压烧结碳化硅陶瓷的制备及导电性能 - 百度学术

    采用常压烧结法制备碳化硅陶瓷,对其显微结构和导电性能进行了分析.研究发现,常压法可获得致密的碳化硅烧结体,具有较低的电阻率,在300~600℃温度范围内表现出明显的负电阻率 常压烧结碳化硅陶瓷的制备及导电性能 - 百度学术采用常压烧结法制备碳化硅陶瓷,对其显微结构和导电性能进行了分析.研究发现,常压法可获得致密的碳化硅烧结体,具有较低的电阻率,在300~600℃温度范围内表现出明显的负电阻率

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    反应烧结制备碳化硅陶瓷及其性能研究

    2021年4月28日  摘要:. 以全细粉碳化硅 ( d50 =3.6 μm、 w (SiC)≥98%)为主要原料,加入炭黑、石墨、减水剂和分散介质等混合均匀后注浆成型,80 ℃烘干并于1 720 ℃反应烧结制 反应烧结制备碳化硅陶瓷及其性能研究2021年4月28日  摘要:. 以全细粉碳化硅 ( d50 =3.6 μm、 w (SiC)≥98%)为主要原料,加入炭黑、石墨、减水剂和分散介质等混合均匀后注浆成型,80 ℃烘干并于1 720 ℃反应烧结制

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    大口径轻质SiC反射镜的研究与应用

    2014年7月4日  摘要: 介绍了大口径轻质碳化硅反射镜镜坯的基本结构、性能测试指标、国内应用及发展前景;阐述了碳化硅凝胶注模成型(Gel-casting)、反应烧结SiC(RB-SiC)与压力成型、常压烧 大口径轻质SiC反射镜的研究与应用2014年7月4日  摘要: 介绍了大口径轻质碳化硅反射镜镜坯的基本结构、性能测试指标、国内应用及发展前景;阐述了碳化硅凝胶注模成型(Gel-casting)、反应烧结SiC(RB-SiC)与压力成型、常压烧

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    陶瓷3D打印碳化硅烧结技术分享之二:无/常压烧结SiC - 哔 ...

    2023年4月24日  但固相烧结的SiC 不能达到完全致密,通常在晶粒的三角晶界处存在少量闭口气孔,而且高温时易导致晶粒长大。 2.液相烧结 液相烧结一般以一定数量的多元低共熔氧化物为烧结助剂,在较低温度下材料以液相烧结机制实现SiC 的致密化。 陶瓷3D打印碳化硅烧结技术分享之二:无/常压烧结SiC - 哔 ...2023年4月24日  但固相烧结的SiC 不能达到完全致密,通常在晶粒的三角晶界处存在少量闭口气孔,而且高温时易导致晶粒长大。 2.液相烧结 液相烧结一般以一定数量的多元低共熔氧化物为烧结助剂,在较低温度下材料以液相烧结机制实现SiC 的致密化。

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    常压烧结碳化硅陶瓷缺陷对力学性能的影响规律研究 - 豆丁网

    2016年6月24日  中国科学院上海硅酸盐研究所博士学位论文摘要常压烧结碳化硅陶瓷缺陷对力学性能的影响研究杨晓(专业:材料学)指导老师:**仁研究员刘学建研究员摘要碳化硅(SiC)陶瓷具有优良的力学、热学、电学特性,是目前应用最广泛的结构陶瓷之一,在工业 常压烧结碳化硅陶瓷缺陷对力学性能的影响规律研究 - 豆丁网2016年6月24日  中国科学院上海硅酸盐研究所博士学位论文摘要常压烧结碳化硅陶瓷缺陷对力学性能的影响研究杨晓(专业:材料学)指导老师:**仁研究员刘学建研究员摘要碳化硅(SiC)陶瓷具有优良的力学、热学、电学特性,是目前应用最广泛的结构陶瓷之一,在工业

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    碳源及添加比例对固相烧结碳化硅陶瓷微观结构及性能的影响

    2018年1月11日  本工作研究了在固定碳添加量条件下, 添加有机碳源、无机碳源及其混合添加比例对固相烧结碳化硅陶瓷的微观结构、力学性能与热性能的影响, 探索实现无压固相烧结碳化硅陶瓷的微观结构调控方式。. 1 实验过程. 实验中选用的碳化硅粉体 (α-SiC, SIKA, FCP15 , 碳源及添加比例对固相烧结碳化硅陶瓷微观结构及性能的影响2018年1月11日  本工作研究了在固定碳添加量条件下, 添加有机碳源、无机碳源及其混合添加比例对固相烧结碳化硅陶瓷的微观结构、力学性能与热性能的影响, 探索实现无压固相烧结碳化硅陶瓷的微观结构调控方式。. 1 实验过程. 实验中选用的碳化硅粉体 (α-SiC, SIKA, FCP15 ,

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    维氏压痕对常压固相烧结碳化硅陶瓷材料力学性能的影响

    2011年11月21日  carbide (SSiC for short) ceramics, the indentation cracks and the crack profiles were observed after loading 0.1–100 N loads on the SSiC samples by SEM. The critical indentation load for Vickers crack initiation in SSiC ceramics lies between 0.1 N and 0.2 N. Indentations by loads lower than 0.5 N have limited influence on bending strength. 维氏压痕对常压固相烧结碳化硅陶瓷材料力学性能的影响2011年11月21日  carbide (SSiC for short) ceramics, the indentation cracks and the crack profiles were observed after loading 0.1–100 N loads on the SSiC samples by SEM. The critical indentation load for Vickers crack initiation in SSiC ceramics lies between 0.1 N and 0.2 N. Indentations by loads lower than 0.5 N have limited influence on bending strength.

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    ssic是无压烧结碳化硅、rbsic为反应烧结、它们配方不一样

    2024年6月3日  为提高碳化硅陶瓷密封环的机械性能,我公司在DX101 反应烧结碳化硅的基础上开发了 DX102含有游离石墨的反应烧结碳化硅陶瓷。 在陶瓷基体中含有一定量细小的石墨颗粒,因而其除DX101 反应烧结碳化硅的性能外,具有较高的自润滑性能,较低的摩擦系数,适用于有干摩擦的工况中使用。 ssic是无压烧结碳化硅、rbsic为反应烧结、它们配方不一样2024年6月3日  为提高碳化硅陶瓷密封环的机械性能,我公司在DX101 反应烧结碳化硅的基础上开发了 DX102含有游离石墨的反应烧结碳化硅陶瓷。 在陶瓷基体中含有一定量细小的石墨颗粒,因而其除DX101 反应烧结碳化硅的性能外,具有较高的自润滑性能,较低的摩擦系数,适用于有干摩擦的工况中使用。

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    常压/无压烧结碳化硅(SSiC)密封环-阿里巴巴 - 1688

    常压/无压烧结碳化硅(SSiC)密封环. 碳化硅(SiC)陶瓷具有高硬度、高分解温度、高导热率、低膨胀、耐腐蚀等多种优良特性,已在机械、石油、汽车工业等领域大显身手。. 随着现代国防、空间技术以及能源技术的迅速发展,SiC作为高技术陶瓷,特别是高性能 ... 常压/无压烧结碳化硅(SSiC)密封环-阿里巴巴 - 1688常压/无压烧结碳化硅(SSiC)密封环. 碳化硅(SiC)陶瓷具有高硬度、高分解温度、高导热率、低膨胀、耐腐蚀等多种优良特性,已在机械、石油、汽车工业等领域大显身手。. 随着现代国防、空间技术以及能源技术的迅速发展,SiC作为高技术陶瓷,特别是高性能 ...

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    碳化硅陶瓷9大烧结技术大揭秘-技术邻

    2021年5月24日  美国Norton公司的Alliegro等人研究发明制备碳化硅陶瓷的热压烧结法。. 碳化硅粉末填入模具中,升温加热过程中保持一定压力,最终实现成型和烧结同时完成的烧结方法。. 热压烧结的特点是加热加压同时进行,在合适的压力-温度-时间工艺条件控制下实现碳 碳化硅陶瓷9大烧结技术大揭秘-技术邻2021年5月24日  美国Norton公司的Alliegro等人研究发明制备碳化硅陶瓷的热压烧结法。. 碳化硅粉末填入模具中,升温加热过程中保持一定压力,最终实现成型和烧结同时完成的烧结方法。. 热压烧结的特点是加热加压同时进行,在合适的压力-温度-时间工艺条件控制下实现碳

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    知乎专栏 - 随心写作,自由表达 - 知乎

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    无压/常压烧结碳化硅(SSiC)异形件-阿里巴巴

    阿里巴巴无压/常压烧结碳化硅(SSiC)异形件,机械密封件,这里云集了众多的供应商,采购商,制造商。这是无压/常压烧结 ... 无压/常压烧结碳化硅(SSiC)异形件-阿里巴巴阿里巴巴无压/常压烧结碳化硅(SSiC)异形件,机械密封件,这里云集了众多的供应商,采购商,制造商。这是无压/常压烧结 ...

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    常压烧结碳化硅(SSiC)

    2021年10月1日  常压烧结碳化硅(SSiC ) 发布日期:2021-10-01 14:10:35 导读:LM机器是一家生产矿山机械的大型企业,热销设备包括:颚破、反击破、圆锥破、移动破碎机、制砂机、雷蒙磨、超细立磨等,满足众多领域的使用需求,如果您想了解设备详细型号报价 ... 常压烧结碳化硅(SSiC)2021年10月1日  常压烧结碳化硅(SSiC ) 发布日期:2021-10-01 14:10:35 导读:LM机器是一家生产矿山机械的大型企业,热销设备包括:颚破、反击破、圆锥破、移动破碎机、制砂机、雷蒙磨、超细立磨等,满足众多领域的使用需求,如果您想了解设备详细型号报价 ...

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    碳化硅烧结工艺

    2018年4月5日  反应烧结. 反应烧结S iC又称自结合SiC,是通过多孔坯件同气相或液相发生化学反应,使坯件质量增加,孔隙减小,并烧结成具有一定强度和尺寸精度的成品的工艺。. 是由α—SiC粉和石墨按一定比例混台成坯体后,并加热到1650 ℃左右,同时熔渗 Si或通过气 碳化硅烧结工艺2018年4月5日  反应烧结. 反应烧结S iC又称自结合SiC,是通过多孔坯件同气相或液相发生化学反应,使坯件质量增加,孔隙减小,并烧结成具有一定强度和尺寸精度的成品的工艺。. 是由α—SiC粉和石墨按一定比例混台成坯体后,并加热到1650 ℃左右,同时熔渗 Si或通过气

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    碳源及添加比例对固相烧结碳化硅陶瓷微观结构及 性能的影响

    2013年9月3日  (0~16.0wt%)对碳化硅陶瓷重量与微观结构的影响, 研究表明碳阻碍了烧结过程中碳化硅晶粒的生长。Mizrah 等[10]研究了α-SiC 的颗粒尺寸、烧结温度、烧结气氛和添加剂(碳分别来源于石墨和树脂)对碳 化硅陶瓷的烧结性能、密度和微观结构的影响。研 碳源及添加比例对固相烧结碳化硅陶瓷微观结构及 性能的影响2013年9月3日  (0~16.0wt%)对碳化硅陶瓷重量与微观结构的影响, 研究表明碳阻碍了烧结过程中碳化硅晶粒的生长。Mizrah 等[10]研究了α-SiC 的颗粒尺寸、烧结温度、烧结气氛和添加剂(碳分别来源于石墨和树脂)对碳 化硅陶瓷的烧结性能、密度和微观结构的影响。研

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    常压烧结-翻译为英语-例句中文 Reverso Context

    2022年2月14日  产品概要: KCE 常压烧结碳化硅(SSiC)由精细的碳化硅粉末混合烧结助剂,在2000-2200 ℃的惰性气氛中烧结而成,是具有更高性能的碳化硅陶瓷。KCE 常压烧结碳化硅在高温(1600℃)状态下能长时间保持高强度和超耐腐蚀性能。KCE 常压烧结碳化硅具有更好的抗热震、导热和高耐磨性能... 常压烧结-翻译为英语-例句中文 Reverso Context2022年2月14日  产品概要: KCE 常压烧结碳化硅(SSiC)由精细的碳化硅粉末混合烧结助剂,在2000-2200 ℃的惰性气氛中烧结而成,是具有更高性能的碳化硅陶瓷。KCE 常压烧结碳化硅在高温(1600℃)状态下能长时间保持高强度和超耐腐蚀性能。KCE 常压烧结碳化硅具有更好的抗热震、导热和高耐磨性能...

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    碳化硅的4种烧结方式 行业新闻

    碳化硅的4种烧结方式. 无压烧结。. 无压烧结被认为是SiC烧结有前途的烧结方法,根据烧结机理的不同,无压烧结又可分为固相烧结和液相烧结。. S.Proehazka通过在超细β-SiC粉体(含氧量小于2)中同时加入适量B和C的方法,在2020℃下常压烧结成密度高于 98 的 SiC ... 碳化硅的4种烧结方式 行业新闻碳化硅的4种烧结方式. 无压烧结。. 无压烧结被认为是SiC烧结有前途的烧结方法,根据烧结机理的不同,无压烧结又可分为固相烧结和液相烧结。. S.Proehazka通过在超细β-SiC粉体(含氧量小于2)中同时加入适量B和C的方法,在2020℃下常压烧结成密度高于 98 的 SiC ...

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    国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线

    2022年4月24日  这类碳化硅陶瓷多选择常压烧结制备,常压烧结碳化硅不同于反应烧结碳化硅,材料中没有游离硅的存在,其极限服役温度得到了提升。 另外固相常压烧结碳化硅中通常会使用碳作为烧结助剂,这对材料的润滑性也有较大提升,延长了材料的使用寿命。 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线2022年4月24日  这类碳化硅陶瓷多选择常压烧结制备,常压烧结碳化硅不同于反应烧结碳化硅,材料中没有游离硅的存在,其极限服役温度得到了提升。 另外固相常压烧结碳化硅中通常会使用碳作为烧结助剂,这对材料的润滑性也有较大提升,延长了材料的使用寿命。

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    碳化硅陶瓷七大烧结工艺-会议展览-资讯-中国粉体网

    2021年11月15日  目前碳化硅陶瓷的制备技术主要有反应烧结、常压烧结、热压烧结、热等静压烧结、放电等离子烧结、振荡压力烧结。. 1. 反应烧结. 反应烧结碳化硅的工艺流程首先是将碳源和 碳化硅粉 进行混合,经注浆成型,干压或冷等静压成型制备出坯体,然后进行渗硅 ... 碳化硅陶瓷七大烧结工艺-会议展览-资讯-中国粉体网2021年11月15日  目前碳化硅陶瓷的制备技术主要有反应烧结、常压烧结、热压烧结、热等静压烧结、放电等离子烧结、振荡压力烧结。. 1. 反应烧结. 反应烧结碳化硅的工艺流程首先是将碳源和 碳化硅粉 进行混合,经注浆成型,干压或冷等静压成型制备出坯体,然后进行渗硅 ...

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    常压烧结碳化硅-翻译为英语-例句中文 Reverso Context

    2022年2月14日  产品概要: KCE 常压烧结碳化硅(SSiC)由精细的碳化硅粉末混合烧结助剂,在2000-2200 ℃的惰性气氛中烧结而成,是具有更高性能的碳化硅陶瓷。KCE 常压烧结碳化硅在高温(1600℃)状态下能长时间保持高强度和超耐腐蚀性能。KCE 常压烧结碳化硅具有更好的抗热震、导热和高耐磨性能... 常压烧结碳化硅-翻译为英语-例句中文 Reverso Context2022年2月14日  产品概要: KCE 常压烧结碳化硅(SSiC)由精细的碳化硅粉末混合烧结助剂,在2000-2200 ℃的惰性气氛中烧结而成,是具有更高性能的碳化硅陶瓷。KCE 常压烧结碳化硅在高温(1600℃)状态下能长时间保持高强度和超耐腐蚀性能。KCE 常压烧结碳化硅具有更好的抗热震、导热和高耐磨性能...

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    碳化硅陶瓷,SSiC\SiSiC\RBSiC\RSiC...你分得清吗 ...

    2022年1月13日  常压烧结碳化硅在不施加外部压力和惰性气氛条件下,通过添加合适的烧结助剂,在 2 000 ~ 2150 ℃间,可对不同形状和尺寸的样品进行致密化烧结。 SiC的常压烧结技术已趋于成熟,其优势在于生产成本较低,对产品的形状尺寸没有限制,特别是固相烧结SiC陶瓷的致密度高,显微结构均匀,材料综合 ... 碳化硅陶瓷,SSiC\SiSiC\RBSiC\RSiC...你分得清吗 ...2022年1月13日  常压烧结碳化硅在不施加外部压力和惰性气氛条件下,通过添加合适的烧结助剂,在 2 000 ~ 2150 ℃间,可对不同形状和尺寸的样品进行致密化烧结。 SiC的常压烧结技术已趋于成熟,其优势在于生产成本较低,对产品的形状尺寸没有限制,特别是固相烧结SiC陶瓷的致密度高,显微结构均匀,材料综合 ...

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    无压烧结碳化硅陶瓷辊棒,即常压烧结碳化硅陶瓷辊棒 ...

    2021年4月9日  通过无压烧结,碳化硅陶瓷,无压烧结碳化硅陶瓷辊棒,即常压烧结碳化硅陶瓷辊棒,SSIC陶瓷辊棒的成型压力为140MPa,保压时间为90s;粘结剂用量为物料总质量的3%;含有C、B4C元素作为烧结助剂的碳化硅陶瓷烧结属于固相烧结,烧结过程主要由扩 无压烧结碳化硅陶瓷辊棒,即常压烧结碳化硅陶瓷辊棒 ...2021年4月9日  通过无压烧结,碳化硅陶瓷,无压烧结碳化硅陶瓷辊棒,即常压烧结碳化硅陶瓷辊棒,SSIC陶瓷辊棒的成型压力为140MPa,保压时间为90s;粘结剂用量为物料总质量的3%;含有C、B4C元素作为烧结助剂的碳化硅陶瓷烧结属于固相烧结,烧结过程主要由扩

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